【摘 要】
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利用分子束外延方法（MBE）在GaAs（001）衬底上外延生长了GaSb薄膜，并对GaSb薄膜进行了高温退火研究，利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、原子力显微镜（AFM）、Hall效应（Hall Effect）和低温光
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
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利用分子束外延方法（MBE）在GaAs（001）衬底上外延生长了GaSb薄膜，并对GaSb薄膜进行了高温退火研究，利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、原子力显微镜（AFM）、Hall效应（Hall Effect）和低温光荧光谱（LTPL）等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整，空穴迁移率较高。研究发现30s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷，显著提高GaSb薄膜的光学质量。
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