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利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析．所用样品采用PECVD技术制备，微波吸收测量采用脉宽35ps，波长355nm脉冲激光．所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程，微渡吸收瞬态特性满足双指数衰减规律．该结果表明，样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用。其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关，而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果．纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加，非辐射复合几率减小，纳米β-SiC薄膜