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利用ＷＫＢ近似对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子的电子浓度、能级位置和有效质量，考虑了能带的非抛物性，由ＳｄＨ振荡获得的与理论符合的很好。
Hg1—xCdxTe探测器表面积累层的磁输运特性
【摘 要】
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利用ＷＫＢ近似对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子的电子浓度、能级位置和有效质量，考虑了能带的非抛物性，由ＳｄＨ振荡获得的与理论符合的很
【机 构】
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上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室!上海,上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室!上
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年9期
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