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此处主要对LDMOS栅漏电容（CGD）进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的数据与软件模拟结果的对比。研究了场极板长度、场氧化层厚度、P阱注入剂量,漂移区浓度4个结构工艺参数对栅漏电容的影响。
基于LDMOS栅漏电容特性的研究
【摘 要】
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此处主要对LDMOS栅漏电容（CGD）进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的数据与软件模拟结果的对比。研究了场极板长
【机 构】
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安徽大学
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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2012年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金（60876062）
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