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三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件，热场计算包括从芯片的有源区经芯片－粘接层－基片－粘接层－底座直到固定于70度的安装台面的整个散热过程，在处理热电正反馈时把有源区的60个基本单元（子胞）当成60个并联子胞晶体管进行建模，子胞模型包括子胞晶体管本身，基区横向扩展电阻，发射区横向扩展电阻，热电一体分析除了涉及Vbc随温度变化外，还有子胞发射极有效面积随子胞发射极电流上升而下降的效应（以下称面积效应），与对有源区各点直接进行分析相比，子胞建模不仅大大简化了计算，而且模拟结果与器件,结构版图结构