【摘 要】
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本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管电流增益的计算，所获得的计算结果与实验相符
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本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管电流增益的计算，所获得的计算结果与实验相符合。这为硅低温半导体器件的设计提供了理论基础。
In this paper, we consider the band gap narrowing caused by heavy doping of impurities, propose a new mathematical model of ionization rate and effective majority carrier concentration, and apply it to the calculation of the current gain of the silicon bipolar transistor, which is determined by the emission efficiency. The calculated results are consistent with the experiment. This provides a theoretical basis for the design of silicon cryogenic semiconductor devices.
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