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提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型，分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式。通过提取适当的模型参数，其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合，说明文中提出的ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型是有效的。
GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型
【摘 要】
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提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型，分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系，给出了漏极电流表达式。通过提取适当的模型参数，其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合，说
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年11期
【基金项目】
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中国科学院重点项目基金
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