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本文对一些半导体新器件,如HEMT、HBT、超晶格器件、约瑟夫逊器件、三维器件等,的工作原理,器件结构,工艺技术,器件水平和应用前景进行了评述。
国外几种半导体新器件的发展概况
【摘 要】
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本文对一些半导体新器件,如HEMT、HBT、超晶格器件、约瑟夫逊器件、三维器件等,的工作原理,器件结构,工艺技术,器件水平和应用前景进行了评述。
【机 构】
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机电部二十四所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1991年4期
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