【摘 要】
：
光谱响应是表征CCD性能的重要参数。为了研究辐射环境对CCD光谱响应产生影响的规律及物理机制,开展了不同粒子辐照实验,对CCD光谱响应曲线的退化形式及典型波长下CCD光响应的
【机 构】
：
中国科学院新疆理化技术研究所,重庆光电技术研究所
【基金项目】
：
新疆维吾尔自治区青年科技创新人才培养工程(qn2015yx035),中国科学院西部之光重点项目(ZD201301),中国科学院西部之光项目(2016-QNXZ-B-8)资助
论文部分内容阅读
光谱响应是表征CCD性能的重要参数。为了研究辐射环境对CCD光谱响应产生影响的规律及物理机制,开展了不同粒子辐照实验,对CCD光谱响应曲线的退化形式及典型波长下CCD光响应的退化情况进行了分析。辐射效应对CCD光谱响应的影响可以分为电离总剂量效应和位移效应导致的退化,本文从这两种辐射效应出发,采用60Co-γ射线及质子两种辐照条件,研究了CCD光谱响应的退化规律。针对460nm(蓝光)和700nm(红光)等典型CCD光响应波长,从辐射效应导致的损伤缺陷方面分析了CCD光谱响应退化的物理机制。研究发现,在6
其他文献
为了提高Tb3＋离子在硅基薄膜中的吸收截面与光发射效率,本文通过在硅基薄膜中引入具有更大吸收截面的SnO2纳米晶体,利用共振能量转移机制,大幅提高了Tb3＋离子的光发射效率。首
采用泡生法生长了掺铥钨酸镱钾(KTm0.1Yb0.9(WO4)2)激光晶体。利用X射线单晶衍射法和X射线粉末衍射法研究了KTm0.1Yb0.9(WO4)2晶体的物相与结构。采用X射线单晶衍射法并结合D
根据已经建立的紫外准分子激光损伤典型光学材料的理论模型,研究了准分子激光对透明光学材料（石英玻璃）和非透明光学材料（K9玻璃）的损伤特性,并结合实验结果证实了理论模型的有效
用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的