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利用单源真空蒸发方法制备ＩｎＳｂ薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４×１０＾４ｃｍ＾２Ｖ／ｓ，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为２００－５００Ω，乘积灵敏度达９０－１５０Ｖ／Ａ．Ｔ。
InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作
【摘 要】
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利用单源真空蒸发方法制备ＩｎＳｂ薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４×１０＾４ｃｍ＾２Ｖ／ｓ，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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天津市科学基金
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