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利用光电流谱法研究了300K到60K温度范围内的P—i—n结构4H—SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低，探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小；而且，反向偏压越高，暗电流减小的速率越大。在零偏压下，随着温度的降低，器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动，后向长波方向移动，在60K时移至282nm附近；同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外，我们对器件P、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论，提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提