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报道了Ka波段的PHEMT功率放大器的设计和研制.PHEMT器件采用0.2 μm栅长的Φ 76 mm GaAs工艺制作,并利用CAD技术指导材料生长和器件制作.单级的MIC放大器采用0.3 mm栅宽的PHEMT,在34 GHz处,输出功率100 mW,功率增益4 dB.
Ka波段PHEMT功率放大器
【摘 要】
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报道了Ka波段的PHEMT功率放大器的设计和研制.PHEMT器件采用0.2 μm栅长的Φ 76 mm GaAs工艺制作,并利用CAD技术指导材料生长和器件制作.单级的MIC放大器采用0.3 mm栅宽的PHE
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年4期
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