InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leave2009418

【摘要】

：

从3个层面研究了分子束外延Al 0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As/I nP功率HEMT结构材料生长技术.首先,通过观察生长过程的高能电子衍射(RHEED)图谱, 确立了Ga0.47In0.53As/InP结

【作者】

：

武一宾商耀辉陈昊芮振璞袁秀丽

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

分子束外延高电子迁移率晶体管铝铟砷铬铟砷沟道掺杂 InP HEMT MBE HEMT AlInAs/GaInAs channel δSi doping

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

从3个层面研究了分子束外延Al 0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As/I nP功率HEMT结构材料生长技术.首先,通过观察生长过程的高能电子衍射(RHEED)图谱, 确立了Ga0.47In0.53As/InP结构表面层的MBE RHEED衍射工艺相图,据此生长的单层Si-doped Ga0.47In0.53As (400 nm)/InP室温迁移率可达6 960 cm2/V*s及电子浓度1.33 E 17 cm-3.其次,经过优化结构参数,低噪声Al0.48In0 .52As/Ga0.47

其他文献

配电变压器的原理故障分析

本文主要介绍了配电变压器原理、常见的故障以及对这些故障的判断和初步分析,并提出了相关的预防措施.极大程度上保护了配送电和电厂运行的安全,有效的保障了用户的供电可靠.

期刊

配电变压器故障分析

非均匀介质中对称耦合三线的传输矩阵

采用新的方法推导出非均匀介质中对称耦合三线的传输矩阵(T参数)解析表达式,给出了以正规模式参量描述的T参数表达式.所得T参数表达式形式简明,物理概念明晰.将无损状态下的T

期刊

非均匀介质T参数对称耦合三线inhomogeneous medium T-parameters symmetric coupled three-l

一种有效的系统芯片串扰故障激励检测模型

目前的系统芯片(SOC)制造技术已经进入了深亚微米时代,由于系统芯片内部信号传输线发生串扰而导致系统功能失效的串扰故障问题不容忽视.文中在对系统芯片中信号传输线的串扰

期刊

串扰激励模型系统芯片HSPICEfault model for crosstalk System-on-Chip(SoC) HSPICE

可控排布碳纳米管及其分析

以单壁和多壁碳纳米管为材料,采用液面排布转移技术,在经预处理的基底上形成了按一定取向排列的分子层,并对其进行了AFM和Raman偏振谱、紫外-可见光到近红外吸收谱等的分析.

期刊

碳纳米管可控排布纳米器件carbon nanotube controllable arrangement nano-device

InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究

与本文相关的学术论文