从3个层面研究了分子束外延Al 0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As/I nP功率HEMT结构材料生长技术.首先,通过观察生长过程的高能电子衍射......

2.1.2新工艺在新器件制备工艺技术方面,超浅结工艺、沟道掺杂工程是器件进入亚100nm领域后需要采用的新工艺技术.......

基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件设计已经被研究多年。其中4H-SiC MESFET器件因同时具有的高可靠性(未引入栅极氧化层)与高频......

由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的......