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采用振幅掩模穿过部分空间非相干光的方法产生一暗迹，将暗迹成像在晶体前表面，得到入射暗迹半高宽为16．75μm，入射光功率为400μW．基于LiNbO3：Fe晶体的强光伏效应，在无背景光辐照时，在晶体内写入一对部分空间非相干Y结暗光伏孤子．实验结果表明：在无背景光辐射时可以在LiNbO3：Fe晶体内写入部分空间非相干Y结孤子．