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提出了两种压控振荡器，一种为差分形式，另一种为压控环结构。采用CSMC公司0．6μm标准CMOS工艺进行模拟，后仿真的结果显示，压控环结构的最高频率达到2GHz，在5V电源下功耗为7．5mW，对压控振荡器的实现方法进行了分析比较，总结了高性能压控振荡器应具备的条件，并讨论了特定工艺下压控振荡器的极限频率。