【摘 要】
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本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜(LP-LCR)的平均晶粒尺寸达数十微
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系 南京210008,南京210008,南京210008
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本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜(LP-LCR)的平均晶粒尺寸达数十微米,呈<111>择优取向,室温电导率为1.5(Ω·cm)~(-1),电子霍耳迁移率达36cm~2V~(-1)s~(-1),是一种有应用前景的薄膜.
In this paper, the structure and electrical properties of a-Si: H films with Ar ~ + laser were studied by means of TEM, X-ray diffraction and the combination of conductance and Hall effect. The results show that a-Si: LP-LCR) has an average grain size of tens of micrometers with a preferred orientation of <111>, a conductivity of 1.5 (Ω · cm) -1 at room temperature, an electron Hall mobility of 36 cm -2V -1 ) s ~ (-1), is a promising film.
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