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针对SiCMOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiCMOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏性的雪崩测试。通过测试,发现了同步信号高频震荡和雪崩电流采样不可靠的问题,提出了外接电流探头、与同步信号隔离的方法,改善了雪崩测试的可靠性。
关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨
【摘 要】
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针对SiCMOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiCMOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏性的雪崩测试。通过测试,发现了同步信号高
【机 构】
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浙江大学
【出 处】
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电工技术
【发表日期】
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2019年11期
【基金项目】
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国家重点研发计划项目(编号2016YFB0100603),自然科学基金项目(编号51577169).
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