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采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构，通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流，从而提高半导体激光器阵列的输出功率；同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度，优化N面合金条件，降低半导体激光器的串联电阻，降低焦耳热，提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP／InGaP／A1GaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料，利用该材料制成半导体激光线阵列在20％高占空比的输入电流下，半导体激光器的输出峰值功率达到189．