【摘 要】
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随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势.高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生.特别是当位
【机 构】
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安徽大学电子信息工程学院,合肥,230601
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随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势.高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生.特别是当位线上积累的漏电流已经超过SRAM的工作电流时,传统方法将趋于失效.提出位线自截断技术来消除过大漏电流对SRAM的不利影响.采用SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一款SRAM,通过仿真测试,验证了该方法的正确性.
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