采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Dark_tomato

【摘要】

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制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs．测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说，在提高击穿电压和延缓翘曲现象发生方面有良好的表现

【作者】

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吴峻峰钟兴华李多力毕津顺海潮和

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年10期

【关键词】

：

部分耗尽SOI 半背沟道击穿翘曲效应 PDSOI HBC breakdown kink effect

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制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs．测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说，在提高击穿电压和延缓翘曲现象发生方面有良好的表现，并且背栅阈值电压没有太大的变化．数值模拟表明降低的电场有助于击穿特性的提高和翘曲现象的延缓．详细分析了提高击穿特性和延缓翘曲效应的原因．

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