AlGaN/GaN HEMT势垒层厚度影响的模拟及优化

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完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟.建立该器件的极化效应模型是本项研究的重点.完成了对异质结条件下诸多模型参数的筛选及修正,得到了符合理论的模拟结果.器件特性的验证与优化基于势垒层厚度h的变化展开,研究结果显示:漏极电流随h值的增加而增加,当h值超过40 nm时,因二维电子气浓度上升缓慢而使漏极电流趋于饱和;跨导随h值的减小而增大,h每降低10 nm,跨导约增大37 mS/mm;势垒层厚度对高频特性的影响较小.
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