【摘 要】
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传统的ＳｉＯ２栅极电介质材料无法克服ＭＯＳ年特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响，作为进上步提高微电子器件集成度的途径，利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代ＳｉＯ２的研究工作已经
【机 构】
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复亘大学应用表面物理国家重点实验室
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传统的ＳｉＯ２栅极电介质材料无法克服ＭＯＳ年特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响，作为进上步提高微电子器件集成度的途径，利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代ＳｉＯ２的研究工作已经展开，文中介绍了此类材料抑制隧穿效应的原理和其应当满足的各项性能指标，并对目前几种主要的研究方案，如几种高介电常数金属氧化物、硅酸盐及其迭层结构的研究状况和优缺点给予也简要评述。
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