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本文报道了一种新型半导体敏感器件──氨气敏Pd-Ir合金栅MOS晶体管。简要地介绍了器件的结构和制备。根据化学动力学理论,分析了器件对氨气敏感的机理,推导出氨气浓度与阈电压变化的定量关系。实验结果与理论分析基本吻合。
Pd—Ir合金栅MOS晶体管氨气敏感机理的研究
【摘 要】
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本文报道了一种新型半导体敏感器件──氨气敏Pd-Ir合金栅MOS晶体管。简要地介绍了器件的结构和制备。根据化学动力学理论,分析了器件对氨气敏感的机理,推导出氨气浓度与阈电
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1990年8期
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