正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择

来源 :分析试验室 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luyunlongal1127

【摘要】

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硒代胱氨酸在硒-金(Se-Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰Ⅱ(-500mV左右)和峰Ⅲ(-327mV左右),以峰Ⅱ的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方

【作者】

：

白燕李蕊程涛郑文杰孟建新

【机构】

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暨南大学化学系

【出处】

：

分析试验室

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

硒-金膜修饰玻碳电极制备条件正交设计均匀设计硒代胱氨酸生物体含硒基氨酸 Orthogonal design Uniform designSe-Au

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硒代胱氨酸在硒-金(Se-Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰Ⅱ(-500mV左右)和峰Ⅲ(-327mV左右),以峰Ⅱ的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se-Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1 mol/L KCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol/L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol/L.均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理.依此制备的Se-Au膜修饰电极性能稳定

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