【摘 要】
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由于磷化铟是一种直接跃迁型半导体,有较高的电流峰谷比和较大的热导。它比硅和砷化镓等常用半导体有更为优越的性能,可以在更高的频率及更高的温度下工作,在微波及光电器件
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由于磷化铟是一种直接跃迁型半导体,有较高的电流峰谷比和较大的热导。它比硅和砷化镓等常用半导体有更为优越的性能,可以在更高的频率及更高的温度下工作,在微波及光电器件领域中是一种极有希望的新材料,因而近年来它受到了特别的关注。制备大直径高质量的磷化铟单晶的通用方法是高压液封直拉(LEc)法。而为其提
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