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研究了Ｓｉ３Ｎ４含量和相对密度对Ｓｉ３Ｎ４颗粒增强ＳｉＯ２复合材料的介电性能的影响。结果表明：在Ｓｉ３Ｎ４含量相同时，随着相对密度的增大，复合材料的介电常数增大，介电损耗减少；在一定的相对密度下，复合材料的介电常数和介电损耗随Ｓｉ３Ｎ４含量的增加而增大。
SiO2—Si3N4天线窗材料的介电性能研究
【摘 要】
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研究了Ｓｉ３Ｎ４含量和相对密度对Ｓｉ３Ｎ４颗粒增强ＳｉＯ２复合材料的介电性能的影响。结果表明：在Ｓｉ３Ｎ４含量相同时，随着相对密度的增大，复合材料的介电常数增大，介电损耗减少；在一定的相对密度下，复合材料的介电
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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1996年2期
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