论文部分内容阅读
硅(Si)基电力电子器件广泛地应用于国民经济、国防和航空航天等产业领域,实现了对电能传输、分配及使用的较优控制转换,大幅度节约了电能。但硅基电力电子器件的电学性能已接近由硅材料特性决定的理论极限,依靠提高硅基器件性能来提高电力电子系统性能的空间已经十分有限。碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,具有硅无法比拟的优势:3倍的禁带宽度、10倍的临界击穿电场;突破了硅基器件性能的理论极限;大幅提升了器件耐压等级、开关频率和工作温度等性能;实现电力电子装置电能转换效率和功率密度等性能的大幅提高。国家科技支撑计划重