【摘 要】
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在氧气和氩气的混合气体中,采用射频磁控溅射方法在蓝宝石基片上溅射生长了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,使用微细加工工艺制备了BST薄膜变容管,研究了溅射气压对薄膜变容管漏电
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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在氧气和氩气的混合气体中,采用射频磁控溅射方法在蓝宝石基片上溅射生长了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,使用微细加工工艺制备了BST薄膜变容管,研究了溅射气压对薄膜变容管漏电流特性的影响.结果表明在基片温度800℃,溅射气压2.0 Pa,氧氩分压比为3∶17的条件下沉积的BST薄膜结构致密,表面平整,所制薄膜变容管具有较小漏电流,在较高外加电场强度(3.0×106 V/cm)下其漏电流密度不超过1.3×10-4 A/cm2,耐压可以达到120 V,调谐率约为53.7％.
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