【摘 要】
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研究了离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大曝光系统参数范围内的光刻性能,
【机 构】
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中国科学院电工研究所,中国科学院电工研究所
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研究了离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大曝光系统参数范围内的光刻性能,并对不同照明方式的光刻性能进行了比较.结果表明,在可用焦深(depth of focus,DOF)范围内,满足光刻性能要求可以有较大范围的曝光系统参数配置.离轴照明的焦深比传统照明提高100%～150%,采用四极照明对孤立线条进行曝光,可以获得更好的光刻性能.
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