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通过采用能带工程技术来再设计基本的硅沟道技术。一种新型的硅上硅（silicon-on-silicon）工艺能够大幅降低标准CMOS工艺中的栅泄漏，而不用引入可能带来混乱的新材料，也不需要对标准的CMOS制造流程做出太大的改动。
通过硅再设计来解决棚泄漏问题
【摘 要】
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通过采用能带工程技术来再设计基本的硅沟道技术。一种新型的硅上硅（silicon-on-silicon）工艺能够大幅降低标准CMOS工艺中的栅泄漏，而不用引入可能带来混乱的新材料，也不需要对标
【机 构】
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MEARSTechnologies
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2007年5期
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