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利用国产Ⅳ型MBE设备,生长了长周期的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变多量子阱结构,并利用x射线双晶衍射、低温光荧光、光吸收谱等多种实验手段来检验材料的质量。实验结果表明,材料具有优良的结构完整性。
Inx Ga1—xAs／GaAs应变材料和生长与测试
【摘 要】
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利用国产Ⅳ型MBE设备,生长了长周期的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变多量子阱结构,并利用x射线双晶衍射、低温光荧光、光吸收谱等多种实验手段来检验材料的质量。实验结果表明,材料
【机 构】
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中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室北京100083
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1991年6期
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