【摘 要】
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应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In。：Al0.48As／In。。Ga0.47AsGaAsMHEMT（渐变组分高电子迁移率晶体管）。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理论分析，优化了器
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应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In。：Al0.48As／In。。Ga0.47AsGaAsMHEMT（渐变组分高电子迁移率晶体管）。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理论分析，优化了器件T形栅尺寸与工艺，从而减小了器件寄生参数，达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.68As／In0.58Ga0.47AsMHEMT饱和电流达到460mA／mm，夹断电压-0．8V，在V为-O．23V时的最大非本征跨导g。为940mS／mm，截止频率f0达到220GHz，最大振荡频率fmax
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