高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备

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【摘要】

：

垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光

【作者】

：

张继业张建伟曾玉刚张俊宁永强张星秦莉刘云王立

【机构】

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院大学材料与光电研究中心

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2020年5期

【关键词】

：

光抽运垂直外腔面发射半导体激光器量子阱增益芯片高功率 optically-pumped vertical external cavity surface

【基金项目】

：

国家重点研发计划(批准号:2017YFB0503200),国家自然科学基金(批准号:61874117,11674314,61434005,11774343,61727822),装备预研领域基金(批准号:61404140107),吉林省科技发展计划重点项目(批准号:20180201119GX)资助的课题.

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垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其峰值增益与载流子浓度及温度等关系进行系统的理论优化,并对5种不同势垒构型的量子阱增益特性进行对比,证实采用双侧GaAsP应变补偿的发光区具有更理想的增益特性.对MOCVD生长的VECSEL进行器件制备,实现了VECSEL在抽运功

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