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等离子去胶工艺是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤,等离子去胶采用传统的等离子清洗工艺无法满足去胶的效果与指标,因此,通过对腔体的温度与压力的实验研究,得出温度与真空压力在去胶清洗工艺的重要作用。
温度与压力对等离子去胶工艺的影响
【摘 要】
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等离子去胶工艺是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤,等离子去胶采用传统的等离子清洗工艺无法满足去胶的效果与指标,因此,通过对腔
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二研究所
【出 处】
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山西电子技术
【发表日期】
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2020年3期
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