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采用温度梯度法（TGT）生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析。采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能。吸收光谱测试观察到了Cr2＋（3d4）取代四面体配位Zn2＋的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带。77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ZnSe晶体具有中心波长位于2.2μm的宽谱带发射特征。