【摘 要】
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采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线.分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2ns,且
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,南京大学固体微结构物理国家重点实验室,西北核技术研究所
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采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线.分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段.利用α粒子结合飞行时间技术研究了CdZnTe晶体的载流子传输特性,分析了结构缺陷的散射和俘获G佉俘获对载流子传输特性的影响.同时对比了不同厚度的CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲X 射线的响应特性.结果表明,当外加电场强度增加时,诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减,但当探测器厚度大于0.
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