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分析了晶圆级电镀工艺过程中影响镀层状态和厚度均匀性的主要因素,并通过优化电镀工艺参数和增加阳极挡板的方式,大大改善了镀铜层和镀锡层的厚度均匀性。在直径101.6mm硅圆片上加工的Cu/Sn微凸点,整片上微凸点高度均匀性为3.5%,满足封装过程中的堆叠要求。
晶圆级高均匀性电镀工艺研究
【摘 要】
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分析了晶圆级电镀工艺过程中影响镀层状态和厚度均匀性的主要因素,并通过优化电镀工艺参数和增加阳极挡板的方式,大大改善了镀铜层和镀锡层的厚度均匀性。在直径101.6mm硅圆
【机 构】
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石家庄诺通人力资源有限公司,中国电子科技集团公司第五十四研究所
【出 处】
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电子工艺技术
【发表日期】
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2019年5期
【基金项目】
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装发部预研项目(61402090101)
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