【摘 要】
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以Sb掺杂的SnO2半导体为导电填料,选取透明釉、钡无光釉、锆乳浊釉为基釉进行了防静电陶瓷的研制.通过XRD、SEM、EDS等测试手段对防静电陶瓷进行了显微结构分析,重点探讨了基
【机 构】
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华南理工大学,广东省佛山钻石陶瓷有限公司
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以Sb掺杂的SnO2半导体为导电填料,选取透明釉、钡无光釉、锆乳浊釉为基釉进行了防静电陶瓷的研制.通过XRD、SEM、EDS等测试手段对防静电陶瓷进行了显微结构分析,重点探讨了基釉中晶相成分与防静电陶瓷电性能的关系.结果表明,釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响是晶相的阻隔作用、釉成分的偏析、导电成分的偏析三者综合作用的结果,透明釉、钡无光釉能制备电性能良好的防静电陶瓷,而锆乳浊釉中锆英石晶相会降低防静电陶瓷的表面电阻,不适于制备防静电陶瓷.
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