Ho~(3+)掺杂Al_2O_3粉体、薄膜的结构及其发光性能

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hellolvkui
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采用高能球磨法及脉冲激光沉积法(PLD)分别制备了不同浓度的Ho3+∶Al2O3纳米粉体及薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、荧光光谱仪等分析手段研究了Ho3+离子掺杂对Al2O3结构及发光性能的影响。XRD图谱显示粉体样品为六方α-Al2O3结构,薄膜样品为体立方γ-Al2O3结构。1wt%Ho3+掺杂的Al2O3纳米粉体在454nm、540nm附近出现由Ho3+离子能级跃迁引起的吸收峰。采用579nm的激发光源对样品进行荧光光谱检测,发现两种样品在466~492nm波段均出现F+心所引起的缺陷发光峰,且发光峰的强度随Ho3+浓度的增加而增强。 Different concentrations of Ho3 +: Al2O3 nano-powders and films were prepared by high energy ball milling and pulsed laser deposition (PLD) respectively. The effects of Ho3 + ion doping Effect of miscellaneous on the structure and luminescent properties of. The XRD patterns show that the powder samples are hexagonal α-Al2O3 and the bulk samples are cubic γ-Al2O3. 1wt% Ho3 + -doped Al2O3 nano-powders appeared absorption peaks caused by Ho3 + energy transition near 454nm and 540nm. Fluorescence spectra of 579nm excitation light source were used to detect the fluorescence spectra of the samples. It was found that both of the samples exhibited F + luminescence defects at 466 ~ 492nm, and the luminescence intensity increased with the increase of Ho3 + concentration.
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