【摘 要】
：
采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/A1xGa1-xN量子阱居里温度(Tc)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基
【机 构】
：
上海华东师范大学信息学院电子系,东华大学物理系
论文部分内容阅读
采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/A1xGa1-xN量子阱居里温度(Tc)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况,并在此基础上确定量子阱内Mnδ掺杂情况下Tc随内建电场的变化趋势,分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对Tc的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到Tc近3倍的增长.
其他文献
合成了一系列未见文献报道的μ-氧双[meso-四(对烷氧基苯基)卟啉合铝(Ⅲ)]配合物.用UV-vis,1H NMR,IR,MS和元素分析对各个化合物的结构进行了表征和确认,发现在该系列配合物
以ANSYS为平台编制了具有可移植性的APDL程序,建立了损伤累积模型,对平面编织层合板的损伤破坏行为进行了数值仿真。该模型对适合于单向铺层的Hanshin判据和Reddy刚度衰减方
It is complicated to model the acoustic field in stratified ocean for airborne aircraft, due to high speed of the source and air-to-water sound transmission. To
利用碱性条件下聚四氟乙烯毛细管(PTFEtube)对钌-邻菲罗啉具有富集作用,建立了单道流动注射在线富集分离及检测痕量钌的荧光分析法。本方法考察了毛细管壁、流速、pH值、温度
在不同位置、从不同角度拍摄同一个二维景物,得到的图像几何形状是不同的,这种几何变形通常可用仿射变换来描述.因此,寻找一组关于仿射变换不变的特征是识别这类图像的关键.本文构造一组仿射不变的特征,即仿射高斯描绘子.构造过程主要是,先计算图像的协方差矩阵,再由该矩阵的特征值和特征向量生成一组同心椭圆,进而利用二维高斯函数构造出仿射高斯描绘子.将这些仿射不变量用于模式识别,以获得较高的识别率.
在高导流系数的速调管中电子束径及横向速度都会发生显著变化,运动电子与间隙电场之间的能量交换是非线性的互作用过程.为了能准确描述这些现象,我们建立了相应的物理模型并
在考虑粒子间的自引力相互作用后;首先采用Parikh-Wilczek的半经典隧穿方法对带电粒子与不带电粒子在Reissner-Nordstrm-anti-de Sitter黑洞视界处的隧穿辐射特征进行了研
利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1,2,4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明,在1至2
基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势
提出一种精确测量波片相位延迟的方法。将待测波片置于起偏器和检偏器之间,转动待测波片和检偏器至不同的位置并探测输出的光强,得到波片的相位延迟。采用光源调制技术和解调