【摘 要】
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本文对近-40℃温度下工作于3～5μm波段的四元串接使用的光导锑化铟器件典型样品进行了特性测试分析。给出了器件信噪比及暗阻随工作温度的变化、信噪比随器件偏置的变化及器件
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本文对近-40℃温度下工作于3～5μm波段的四元串接使用的光导锑化铟器件典型样品进行了特性测试分析。给出了器件信噪比及暗阻随工作温度的变化、信噪比随器件偏置的变化及器件的噪声频谱曲线。并进行了简要的分析,对器件的制作和使用具有一定的指导意义。
In this paper, the characteristics of typical samples of indium antimonide indium devices used in quaternary cascades operating in the band of 3 ~ 5μm near -40 ℃ were tested. The signal to noise ratio (SNR) and dark resistance of the device are given as a function of operating temperature. The signal-to-noise ratio varies with the device bias and the noise spectrum of the device. And a brief analysis of the production and use of the device has a certain significance.
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