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利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(100)的界面反应和电子结构。在界面处，Fe与As形成稳定的化学键，而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金，但反应只能在界面处发生，形成窄的反应层。Fe沉积后改变了GaAs表面的电子结构，重新钉扎了费米能级位置，引起费米能级向价带顶移动0.27 eV。另外，Fe的生长模式在沉积过程中发生改变，而且存在As和Ga的扩散现象，同步辐射价带谱也证实了这一点。