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本文从阐述场板对提高pn结雪崩击穿电压的原理出发,引出了一种非均匀氧化层场板技术,介绍了这种结构的工艺特点及场板设计最佳化选择,并利用此结构实现了pn结浅结高反压的设想.
提高器件耐压的非均匀氧化层场板技术
【摘 要】
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本文从阐述场板对提高pn结雪崩击穿电压的原理出发,引出了一种非均匀氧化层场板技术,介绍了这种结构的工艺特点及场板设计最佳化选择,并利用此结构实现了pn结浅结高反压的设
【机 构】
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成都电讯工程学院微电子所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1988年04期
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