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本文分析了几种外磁场自抑制技术,设计了一种外磁场自抑制霍尔电流传感器。研制的传感器在80Gs磁场下,零点输出变化在0.6%FS以内,传感器抗磁场干扰能力大大提高。
一种外磁场自抑制霍尔电流传感器
【摘 要】
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本文分析了几种外磁场自抑制技术,设计了一种外磁场自抑制霍尔电流传感器。研制的传感器在80Gs磁场下,零点输出变化在0.6%FS以内,传感器抗磁场干扰能力大大提高。
【机 构】
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山东航天电子技术研究所
【出 处】
：
电子技术与软件工程
【发表日期】
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2019年14期
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