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通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化,本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究.文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响,并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程.实验结果表明,在以HF为主的湿法刻蚀中,硅表面的悬挂键主要被H而不是被F取代。
硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术
【摘 要】
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通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化,本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究.文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响,并实时考察了硅氢表面在开路电位
【机 构】
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厦门大学化学系,固体表面物理化学国家重点实验室,物理化学研究所,厦门,361005
【出 处】
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第十一届全国分子光谱学学术会议
【发表日期】
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2000年8期
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