AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangjianke

【摘要】

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本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法．采用这些方法，实际测量了5～10GHz频率下HEMT器

【作者】

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常远程张义门张玉明王超曹全君

【机构】

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西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室

【出处】

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电子器件

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

ALGAN/GAN HEMTS 小信号参数提取 AlGaN/GaN HEMTs small signal parameter extraction

【基金项目】

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家基础科研项目（2002CB311904）

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本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法．采用这些方法，实际测量了5～10GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数。S参数的计算值与实际测量值进行了比较．实验结果表明此方法简单易行。较为精确．

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