HEMTS相关论文
第五代移动通信技术随着5G商业化而更加广泛的被使用,更好地服务于我们的日常工作与生活,增强了人与人、人与物、物与物的通信与连......
报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的......
研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的特性.该器件包括栅长0.8 μm共源器件与栅长1 μm的共栅器件.研究表明,共栅共源器件的第......
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对0．25肌双场板结构GaNHEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示，GaNHEMT增益的温度系数为-0．02dB／℃、饱和输出功率系数......
半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究。数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管......
比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入......
比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入......
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板（field plate）长度为0.4μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm......
报道了蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源器件的制备与特性．该器件包括栅长为0．8／1m共源器件与栅长为1μm的共栅器件．实验表明，共栅器件的第二......
提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液（HF：HCl：H2O=1：4：20）对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究......
