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一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10~(20)/cm~3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.
辉光放电电子束掺杂硼浅结
【摘 要】
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一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10~(20)/cm~3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损
【机 构】
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中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心北京650信箱100010,北京650信箱100010,北京650信箱100010
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年7期
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