【摘 要】
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SnO2基纳米带在气敏探测方面具有独特的优势而引起极大的研究兴趣。采用热蒸发法制备单晶SnO2纳米带和Ag掺杂的SnO2（Ag-SnO2）纳米带,并用扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱（EDX）、X射
【机 构】
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云南师范大学物理与电子信息学院,云南省光电信息技术重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11764046,11304275,11764047,61564010)
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SnO2基纳米带在气敏探测方面具有独特的优势而引起极大的研究兴趣。采用热蒸发法制备单晶SnO2纳米带和Ag掺杂的SnO2（Ag-SnO2）纳米带,并用扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱（EDX）、X射线衍射仪（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线光电子谱（XPS）等对其成分、微结构等进行表征。同时研究了单根Ag掺杂SnO2纳米带器件的气敏特性。结果表明,单根Ag-SnO2纳米带对丙酮最佳工作温度为220℃,低于SnO2纳米带器件的230℃。在最佳工作温度下单根Ag-SnO2纳米带对1.00×10-4的丙酮响应度达到7.6,是纯净器件2.3倍,其响应/恢复时间为6/7s,Ag-SnO2纳米带器件对丙酮的理论探测极限为42.95×10-9。气敏特性的提升是由于Ag离子掺杂促进纳米带表面吸附氧离子与丙酮气体反应,导致器件对丙酮的响应和选择性提高。
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